WMK6N90D1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMK6N90D1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 181 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 123 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Encapsulados: TO220
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WMK6N90D1 datasheet
wmk6n90d1 wml6n90d1 wmm6n90d1.pdf
WMK6N90D1 WML6N90D1 WMM6N90D1 900V 6A 1.7 N-ch Power MOSFET Description TO-263 TO-220 TO-220F WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation TAB VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. D G G G D D S S S Features Typ.R =1.7 @V =
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History: WML18N50D1B
History: WML18N50D1B
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Liste
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