Справочник MOSFET. WMK6N90D1

 

WMK6N90D1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMK6N90D1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 86.2 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 181 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для WMK6N90D1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMK6N90D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1270K  way-on
 wmk6n90d1 wml6n90d1 wmm6n90d1.pdf pdf_icon

WMK6N90D1

WMK6N90D1 WML6N90D1 WMM6N90D1900V 6A 1.7 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-263TO-220 TO-220FWMOSTM D1 is Wayons 1st generationTABVDMOS family that is dramatic reductionin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerdensity and high efficiency. And it is veryrobust and RoHS compliant.DGG GDDS SSFeatures Typ.R =1.7@V =

Другие MOSFET... WMK25N06TS , WMK25N10T1 , WMK28N15T2 , WMK340N20HG2 , WMK4N90D1B , WML4N90D1B , WMM4N90D1B , WMK50N06TS , IRFP064N , WML6N90D1 , WMM6N90D1 , WMK75N03T1 , WMK7N65D1B , WMH7N65D1B , WML7N65D1B , WMO7N65D1B , WMK80N04T1 .

 

 
Back to Top

 


 
.