WMK75N03T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMK75N03T1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 59 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 75 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 19 nC
Tiempo de subida (tr): 14.8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 285 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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WMK75N03T1 Datasheet (PDF)
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WMK75N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK75N03T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 30V, I = 75A DS DSDGR
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