Справочник MOSFET. WMK75N03T1

 

WMK75N03T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMK75N03T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 14.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для WMK75N03T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMK75N03T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:991K  way-on
 wmk75n03t1.pdf pdf_icon

WMK75N03T1

WMK75N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK75N03T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 30V, I = 75A DS DSDGR

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.