WMK75N03T1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMK75N03T1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 59 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 75 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 19 nC
Время нарастания (tr): 14.8 ns
Выходная емкость (Cd): 285 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для WMK75N03T1
WMK75N03T1 Datasheet (PDF)
..1. Size:991K way-on
wmk75n03t1.pdf
wmk75n03t1.pdf
WMK75N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK75N03T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 30V, I = 75A DS DSDGR
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
