WML7N65D1B Todos los transistores

 

WML7N65D1B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WML7N65D1B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm

Encapsulados: TO220F

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WML7N65D1B datasheet

 ..1. Size:1960K  way-on
 wmk7n65d1b wmh7n65d1b wml7n65d1b wmo7n65d1b.pdf pdf_icon

WML7N65D1B

WMK7N65D1B WMH7N65D1B WML7N65D1B WMO7N65D1B 650V 7A 1.12 N-ch Power MOSFET Description TO-220 TO-220F TAB WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power G G D D S S density and high efficiency. And it is very TO-251-L3.5 TO-252 robust and RoHS compliant. TAB TAB

 9.1. Size:1158K  way-on
 wml7n80d1.pdf pdf_icon

WML7N65D1B

WML7N80D1 800V 7A 1.4 N-ch Power MOSFET Description TO-220F WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G D Features S Typ.R =1.4 @V =10V DS(on) GS 100% avalanche tested

Otros transistores... WMM4N90D1B , WMK50N06TS , WMK6N90D1 , WML6N90D1 , WMM6N90D1 , WMK75N03T1 , WMK7N65D1B , WMH7N65D1B , 20N60 , WMO7N65D1B , WMK80N04T1 , WMK80N06TS , WMK80N08TS , WMK90N08TS , WMK9N50D1B , WML9N50D1B , WMO9N50D1B .

 

 

 

 

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