Справочник MOSFET. WML7N65D1B

 

WML7N65D1B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WML7N65D1B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 24.3 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 27.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для WML7N65D1B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WML7N65D1B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1960K  way-on
 wmk7n65d1b wmh7n65d1b wml7n65d1b wmo7n65d1b.pdf pdf_icon

WML7N65D1B

WMK7N65D1B WMH7N65D1BWML7N65D1B WMO7N65D1B650V 7A 1.12 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-220 TO-220FTABWMOSTM D1 is Wayons 1st generationVDMOS family that is dramatic reductionin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerGGDDSSdensity and high efficiency. And it is veryTO-251-L3.5TO-252robust and RoHS compliant.TABTAB

 9.1. Size:1158K  way-on
 wml7n80d1.pdf pdf_icon

WML7N65D1B

WML7N80D1 800V 7A 1.4 N-ch Power MOSFET Description TO-220F WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G D Features S Typ.R =1.4@V =10V DS(on) GS 100% avalanche tested

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFP460 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IRF9953 | STF2456 | FDPF18N50

 

 
Back to Top

 


 
.