WMO7N65D1B Todos los transistores

 

WMO7N65D1B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMO7N65D1B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm

Encapsulados: TO252

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WMO7N65D1B datasheet

 ..1. Size:1960K  way-on
 wmk7n65d1b wmh7n65d1b wml7n65d1b wmo7n65d1b.pdf pdf_icon

WMO7N65D1B

WMK7N65D1B WMH7N65D1B WML7N65D1B WMO7N65D1B 650V 7A 1.12 N-ch Power MOSFET Description TO-220 TO-220F TAB WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power G G D D S S density and high efficiency. And it is very TO-251-L3.5 TO-252 robust and RoHS compliant. TAB TAB

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