WMO7N65D1B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WMO7N65D1B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 27.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm
Тип корпуса: TO252
WMO7N65D1B Datasheet (PDF)
wmk7n65d1b wmh7n65d1b wml7n65d1b wmo7n65d1b.pdf

WMK7N65D1B WMH7N65D1BWML7N65D1B WMO7N65D1B650V 7A 1.12 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-220 TO-220FTABWMOSTM D1 is Wayons 1st generationVDMOS family that is dramatic reductionin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerGGDDSSdensity and high efficiency. And it is veryTO-251-L3.5TO-252robust and RoHS compliant.TABTAB
Другие MOSFET... WMK50N06TS , WMK6N90D1 , WML6N90D1 , WMM6N90D1 , WMK75N03T1 , WMK7N65D1B , WMH7N65D1B , WML7N65D1B , IRF540 , WMK80N04T1 , WMK80N06TS , WMK80N08TS , WMK90N08TS , WMK9N50D1B , WML9N50D1B , WMO9N50D1B , WML030N06HG4 .
History: CSFR6N60K | IRF6614



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0611PP | JMSL0611PGD | JMSL0611PG | JMSL0610AGDQ | JMSL0610AGD | JMSL060SPGQ | JMSL0609PPD | JMSL0609AUQ | JMSL0609AU | JMSL0609APD | JMSL0609AP | JMSL0609AKQ | JMSL0609AK | JMSL0609AGWQ | JMSL0609AGQ | JMSL0609AG
Popular searches
2sa763 | a933 | 2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor