WMO9N50D1B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMO9N50D1B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMO9N50D1B

WMO9N50D1B Datasheet (PDF)

..1. Size:1621K way-on
wmk9n50d1b wml9n50d1b wmo9n50d1b.pdf

WMK9N50D1B WML9N50D1B WMO9N50D1B 500V 9A 0.68 N-ch Power MOSFET Description TO-252 TO-220 TO-220F WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOS TAB TAB family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. D G And it is very robust and RoHS compliant. S G D S G D S

9.1. Size:1203K way-on
wmo9n65d1.pdf

WMO9N65D1650V 9A 0.85 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-252WMOSTM D1 is Wayons 1st generationTABVDMOS family that is dramatic reductionin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerDGdensity and high efficiency. And it is verySrobust and RoHS compliant.Features Typ.R =0.85@V =10VDS(on) GS 100% avalanche tested Pb-

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Liste

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