WMO9N50D1B Todos los transistores

 

WMO9N50D1B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMO9N50D1B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de WMO9N50D1B MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

WMO9N50D1B datasheet

 ..1. Size:1621K  way-on
 wmk9n50d1b wml9n50d1b wmo9n50d1b.pdf pdf_icon

WMO9N50D1B

WMK9N50D1B WML9N50D1B WMO9N50D1B 500V 9A 0.68 N-ch Power MOSFET Description TO-252 TO-220 TO-220F WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS TAB TAB family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. D G And it is very robust and RoHS compliant. S G D S G D S

 9.1. Size:1203K  way-on
 wmo9n65d1.pdf pdf_icon

WMO9N50D1B

WMO9N65D1 650V 9A 0.85 N-ch Power MOSFET Description TO-252 WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation TAB VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power D G density and high efficiency. And it is very S robust and RoHS compliant. Features Typ.R =0.85 @V =10V DS(on) GS 100% avalanche tested Pb-

Otros transistores... WML7N65D1B , WMO7N65D1B , WMK80N04T1 , WMK80N06TS , WMK80N08TS , WMK90N08TS , WMK9N50D1B , WML9N50D1B , IRLZ44N , WML030N06HG4 , WML03N80M3 , WMN03N80M3 , WMM03N80M3 , WMO03N80M3 , WMP03N80M3 , WMK03N80M3 , WML05N100C2 .

History: ME2309 | AO6602G | DH012N03I

 

 

 

 

↑ Back to Top
.