Справочник MOSFET. WMO9N50D1B

 

WMO9N50D1B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMO9N50D1B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для WMO9N50D1B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO9N50D1B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1621K  way-on
 wmk9n50d1b wml9n50d1b wmo9n50d1b.pdf pdf_icon

WMO9N50D1B

WMK9N50D1B WML9N50D1B WMO9N50D1B 500V 9A 0.68 N-ch Power MOSFET Description TO-252 TO-220 TO-220F WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOS TAB TAB family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. D G And it is very robust and RoHS compliant. S G D S G D S

 9.1. Size:1203K  way-on
 wmo9n65d1.pdf pdf_icon

WMO9N50D1B

WMO9N65D1650V 9A 0.85 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-252WMOSTM D1 is Wayons 1st generationTABVDMOS family that is dramatic reductionin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerDGdensity and high efficiency. And it is verySrobust and RoHS compliant.Features Typ.R =0.85@V =10VDS(on) GS 100% avalanche tested Pb-

Другие MOSFET... WML7N65D1B , WMO7N65D1B , WMK80N04T1 , WMK80N06TS , WMK80N08TS , WMK90N08TS , WMK9N50D1B , WML9N50D1B , IRFP260N , WML030N06HG4 , WML03N80M3 , WMN03N80M3 , WMM03N80M3 , WMO03N80M3 , WMP03N80M3 , WMK03N80M3 , WML05N100C2 .

History: STB21NM60ND | IPI120N08S4-04 | CS2N80A3HY | KIA50N06B-220 | WML12N80M3 | WMJ90R260S | STI40N65M2

 

 
Back to Top

 


 
.