WML060N10HGS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WML060N10HGS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 54.3 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 65 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 81.8 nC
   Tiempo de subida (tr): 13 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 649 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0062 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WML060N10HGS

WML060N10HGS Datasheet (PDF)

..1. Size:1066K way-on
wml060n10hgs.pdf

WML060N10HGS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWML060N10HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device GDSis well suited for high efficiency fast switching applications. TO-220FFeatures V = 100V, I = 65A DS

9.1. Size:673K way-on
wml06n80m3 wmn06n80m3 wmm06n80m3 wmo06n80m3 wmp06n80m3 wmk06n80m3.pdf

WML06N80M3, W 80M3, WM M3 WMN06N8 MM06N80MWMO0 80M3, WM M3 06N80M3, WMP06N8 MK06N80M 800 Junction ET0V 1.8 Super J n Power MOSFEDescripptionWMOSTM M3 is Wayo neration 800M ons 3rd gen 0V super junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance D echnology fo y low on-re S S G D D GG G Tand low ga charge perf

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Liste

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