WML060N10HGS - описание и поиск аналогов

 

WML060N10HGS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WML060N10HGS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 649 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для WML060N10HGS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WML060N10HGS даташит

 ..1. Size:1066K  way-on
 wml060n10hgs.pdf pdf_icon

WML060N10HGS

WML060N10HGS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WML060N10HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device GDS is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-220F Features V = 100V, I = 65A DS

 9.1. Size:673K  way-on
 wml06n80m3 wmn06n80m3 wmm06n80m3 wmo06n80m3 wmp06n80m3 wmk06n80m3.pdf pdf_icon

WML060N10HGS

WML06N80M3, W 80M3, WM M3 WMN06N8 MM06N80M WMO0 80M3, WM M3 06N80M3, WMP06N8 MK06N80M 800 Junction ET 0V 1.8 Super J n Power MOSFE Descrip ption WMOSTM M3 is Wayo neration 800 M on s 3rd gen 0V super junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance D echnology fo y low on-re S S G D D G G G T and low ga charge perf

Другие MOSFET... WMP05N105C2 , WMO05N105C2 , WML05N80M3 , WMN05N80M3 , WMM05N80M3 , WMO05N80M3 , WMP05N80M3 , WMK05N80M3 , IRFP260 , WML06N80M3 , WMN06N80M3 , WMM06N80M3 , WMO06N80M3 , WMP06N80M3 , WMK06N80M3 , WML071N15HG2 , WML07N100C2 .

History: VS4620DP-G | S-LBSS138WT1G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.