WMJ07N100C2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMJ07N100C2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
Encapsulados: TO247
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WMJ07N100C2 datasheet
wml07n100c2 wmn07n100c2 wmm07n100c2 wmj07n100c2 wmo07n100c2 wmp07n100c2 wmk07n100c2.pdf
WM 2, WMN07N MM07N100C ML07N100C2 N100C2, WM C2 WMJ07N100C2, WM C2, WMP07N MK07N100C MO07N100C N100C2, WM C2 1000V Super Ju MOSFET V 2.0 S unction Power M T Descrip ption WMOSTM C2 is Wa 2nd generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance D echnology fo y low on-re S S G D D G G G and low
wml07n105c2 wmn07n105c2 wmm07n105c2 wmj07n105c2 wmo07n105c2 wmp07n105c2 wmk07n105c2.pdf
WM 2, WMN07N MM07N105C ML07N105C2 N105C2, WM C2 WMJ07N105C2, WM C2, WMP07N MK07N105C MO07N105C N105C2, WM C2 1050V Super Ju MOSFET V 2.0 S unction Power M T Descrip ption WMOSTM C2 is Wa 2nd generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance D echnology fo y low on-re S S G D D G G G and low
Otros transistores... WMM06N80M3 , WMO06N80M3 , WMP06N80M3 , WMK06N80M3 , WML071N15HG2 , WML07N100C2 , WMN07N100C2 , WMM07N100C2 , AON6380 , WMO07N100C2 , WMP07N100C2 , WMK07N100C2 , WML07N105C2 , WMN07N105C2 , WMM07N105C2 , WMJ07N105C2 , WMO07N105C2 .
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