WMJ07N100C2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMJ07N100C2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для WMJ07N100C2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMJ07N100C2 даташит

 ..1. Size:731K  way-on
 wml07n100c2 wmn07n100c2 wmm07n100c2 wmj07n100c2 wmo07n100c2 wmp07n100c2 wmk07n100c2.pdf pdf_icon

WMJ07N100C2

WM 2, WMN07N MM07N100C ML07N100C2 N100C2, WM C2 WMJ07N100C2, WM C2, WMP07N MK07N100C MO07N100C N100C2, WM C2 1000V Super Ju MOSFET V 2.0 S unction Power M T Descrip ption WMOSTM C2 is Wa 2nd generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance D echnology fo y low on-re S S G D D G G G and low

 6.1. Size:733K  way-on
 wml07n105c2 wmn07n105c2 wmm07n105c2 wmj07n105c2 wmo07n105c2 wmp07n105c2 wmk07n105c2.pdf pdf_icon

WMJ07N100C2

WM 2, WMN07N MM07N105C ML07N105C2 N105C2, WM C2 WMJ07N105C2, WM C2, WMP07N MK07N105C MO07N105C N105C2, WM C2 1050V Super Ju MOSFET V 2.0 S unction Power M T Descrip ption WMOSTM C2 is Wa 2nd generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance D echnology fo y low on-re S S G D D G G G and low

Другие IGBT... WMM06N80M3, WMO06N80M3, WMP06N80M3, WMK06N80M3, WML071N15HG2, WML07N100C2, WMN07N100C2, WMM07N100C2, AON6380, WMO07N100C2, WMP07N100C2, WMK07N100C2, WML07N105C2, WMN07N105C2, WMM07N105C2, WMJ07N105C2, WMO07N105C2