WML099N10HGS Todos los transistores

 

WML099N10HGS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WML099N10HGS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0099 Ohm

Encapsulados: TO220F

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WML099N10HGS datasheet

 ..1. Size:510K  way-on
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WML099N10HGS

WML099N10HGS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WML099N10HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This GDS device is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-220F Features V = 100V, I = 37A DS

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History: WML9N90D1B | WML100N07TS

 

 

 

 

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