Справочник MOSFET. WML099N10HGS

 

WML099N10HGS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WML099N10HGS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0099 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для WML099N10HGS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WML099N10HGS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:510K  way-on
 wml099n10hgs.pdf pdf_icon

WML099N10HGS

WML099N10HGS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWML099N10HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This GDSdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-220FFeatures V = 100V, I = 37A DS

Другие MOSFET... WMP08N70EM , WMO08N70EM , WML08N80M3 , WMN08N80M3 , WMM08N80M3 , WMO08N80M3 , WMP08N80M3 , WMK08N80M3 , IRF730 , WML100N07TS , WML10N100C2 , WMN10N100C2 , WMM10N100C2 , WMJ10N100C2 , WMO10N100C2 , WMP10N100C2 , WMK10N100C2 .

History: FCH130N60 | HUFA76429D3STF085 | WMJ26N60C4 | RU80N15Q | SSQ6N60 | PSMN6R3-120PS | IPI100N08S2-07

 

 
Back to Top

 


 
.