Справочник MOSFET. WML099N10HGS

 

WML099N10HGS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WML099N10HGS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 28.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0099 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для WML099N10HGS

 

 

WML099N10HGS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:510K  way-on
 wml099n10hgs.pdf

WML099N10HGS WML099N10HGS

WML099N10HGS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWML099N10HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This GDSdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-220FFeatures V = 100V, I = 37A DS

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top