WML099N10HGS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WML099N10HGS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 37 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 59.5 nC
Время нарастания (tr): 28.8 ns
Выходная емкость (Cd): 300 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0099 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для WML099N10HGS
WML099N10HGS Datasheet (PDF)
..1. Size:510K way-on
wml099n10hgs.pdf
wml099n10hgs.pdf
WML099N10HGS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWML099N10HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This GDSdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-220FFeatures V = 100V, I = 37A DS
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
