WML099N10HGS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WML099N10HGS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0099 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для WML099N10HGS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WML099N10HGS даташит

 ..1. Size:510K  way-on
 wml099n10hgs.pdf pdf_icon

WML099N10HGS

WML099N10HGS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WML099N10HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This GDS device is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-220F Features V = 100V, I = 37A DS

Другие IGBT... WMP08N70EM, WMO08N70EM, WML08N80M3, WMN08N80M3, WMM08N80M3, WMO08N80M3, WMP08N80M3, WMK08N80M3, IRFB31N20D, WML100N07TS, WML10N100C2, WMN10N100C2, WMM10N100C2, WMJ10N100C2, WMO10N100C2, WMP10N100C2, WMK10N100C2