STG8205 Todos los transistores

 

STG8205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STG8205
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
 

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STG8205 Datasheet (PDF)

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STG8205

GreenProductSTG8205aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.26 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.20V 6A35 @ VGS=2.5VD1 D2TS S OP1 8D1/D2 D1/D22 7S 1 S 2G 1G 23 6S 1 S 24 5 G 2G 1

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STG8205

GreenrrPPrPrProductSTG8209aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.26 @ VGS=4.0VSuface Mount Package.20V 6AESD Protected.40 @ VGS=2.5V( 1 ) D2( 8 )D1TSSOP1 8D1/D2 D1/D2( 5 )G2

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STG8205

GreenProductS TG 8211S amHop Microelectronics C orp.J uly. 03. 2006 R ev1.2Dual N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y FEATUR ESS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.13.5 @ VGS =4.0V20V 10A Surface Mount Package.18 @ VGS =2.5VESD Protected.D1 D2TSSOP1 8D1/D2 D1/D22 7

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History: IRF840LPBF | IRF530FI | DHS045N88E | FDPF12N50UT | IRFB7534

 

 
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