STG8205 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STG8205
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
Выходная емкость (Cd): 135 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025 Ohm
Тип корпуса: TSSOP8
STG8205 Datasheet (PDF)
stg8205.pdf
GreenProductSTG8205aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.26 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.20V 6A35 @ VGS=2.5VD1 D2TS S OP1 8D1/D2 D1/D22 7S 1 S 2G 1G 23 6S 1 S 24 5 G 2G 1
stg8209.pdf
GreenrrPPrPrProductSTG8209aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.26 @ VGS=4.0VSuface Mount Package.20V 6AESD Protected.40 @ VGS=2.5V( 1 ) D2( 8 )D1TSSOP1 8D1/D2 D1/D2( 5 )G2
stg8211.pdf
GreenProductS TG 8211S amHop Microelectronics C orp.J uly. 03. 2006 R ev1.2Dual N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y FEATUR ESS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.13.5 @ VGS =4.0V20V 10A Surface Mount Package.18 @ VGS =2.5VESD Protected.D1 D2TSSOP1 8D1/D2 D1/D22 7
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
