WMP12N80M3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMP12N80M3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 86 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 19 nC
Tiempo de subida (tr): 17 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 41 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.62 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
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WMP12N80M3 Datasheet (PDF)
..1. Size:674K way-on
wml12n80m3 wmn12n80m3 wmm12n80m3 wmo12n80m3 wmp12n80m3 wmk12n80m3.pdf
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WML12N80M3, W 80M3, WM M3 WMN12N8 MM12N80MWMO1 80M3, WM M3 12N80M3, WMP12N8 MK12N80M 800V 0.53 S TV Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM M3 is Wayo neration 800M ons 3rd gen 0V super junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance D echnology fo y low on-re S S G D D GG G Tand low ga charge perfo
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