Справочник MOSFET. WMP12N80M3

 

WMP12N80M3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMP12N80M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.62 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для WMP12N80M3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMP12N80M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:674K  way-on
 wml12n80m3 wmn12n80m3 wmm12n80m3 wmo12n80m3 wmp12n80m3 wmk12n80m3.pdf pdf_icon

WMP12N80M3

WML12N80M3, W 80M3, WM M3 WMN12N8 MM12N80MWMO1 80M3, WM M3 12N80M3, WMP12N8 MK12N80M 800V 0.53 S TV Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM M3 is Wayo neration 800M ons 3rd gen 0V super junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance D echnology fo y low on-re S S G D D GG G Tand low ga charge perfo

Другие MOSFET... WML12N65D1 , WMK12N65D1 , WML12N65D1B , WMK12N65D1B , WML12N80M3 , WMN12N80M3 , WMM12N80M3 , WMO12N80M3 , P60NF06 , WMK12N80M3 , WML13N65EM , WMK13N65EM , WMM13N65EM , WMN13N65EM , WMP13N65EM , WMO13N65EM , WML13N70EM .

History: IRFB4610PBF

 

 
Back to Top

 


 
.