STF8810 Todos los transistores

 

STF8810 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STF8810
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 144 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDFN2X3
 

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STF8810 Datasheet (PDF)

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STF8810

GreenProductSTF8810aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.3Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.16.0 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.17.0 @ VGS=4.0V20V 8.0A 18.0 @ VGS=3.7V ESD Protected.21.0 @ VGS=3.1V27.5 @ VGS=2.5VG2Bottom Drain

Otros transistores... FDPF14N30 , FDPF15N65 , FDPF16N50 , FDPF16N50T , FDPF16N50UT , FDPF17N60NT , STG2454 , FDPF18N20FT , IRF730 , FDPF18N50 , FDPF18N50T , FDPF190N15A , FDPF20N50 , FDPF20N50FT , FDPF20N50T , FDPF2710T , FDPF320N06L .

History: IRF8313PBF | IRF8714GPBF | IXFN260N17T | AOTF29S50 | 8N40 | IRF8721GPBF | AOTF3N80

 

 
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