STF8810 Todos los transistores

 

STF8810 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STF8810

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 144 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: TDFN2X3

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STF8810 datasheet

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STF8810

Green Product STF8810 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.3 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 16.0 @ VGS=4.5V Suface Mount Package. 17.0 @ VGS=4.0V 20V 8.0A 18.0 @ VGS=3.7V ESD Protected. 21.0 @ VGS=3.1V 27.5 @ VGS=2.5V G2 Bottom Drain

Otros transistores... FDPF14N30 , FDPF15N65 , FDPF16N50 , FDPF16N50T , FDPF16N50UT , FDPF17N60NT , STG2454 , FDPF18N20FT , AO4468 , FDPF18N50 , FDPF18N50T , FDPF190N15A , FDPF20N50 , FDPF20N50FT , FDPF20N50T , FDPF2710T , FDPF320N06L .

History: FS2KM-16A

 

 

 

 

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