Справочник MOSFET. STF8810

 

STF8810 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STF8810
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TDFN2X3
 

 Аналог (замена) для STF8810

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STF8810 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:107K  samhop
 stf8810.pdf pdf_icon

STF8810

GreenProductSTF8810aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.3Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.16.0 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.17.0 @ VGS=4.0V20V 8.0A 18.0 @ VGS=3.7V ESD Protected.21.0 @ VGS=3.1V27.5 @ VGS=2.5VG2Bottom Drain

Другие MOSFET... FDPF14N30 , FDPF15N65 , FDPF16N50 , FDPF16N50T , FDPF16N50UT , FDPF17N60NT , STG2454 , FDPF18N20FT , IRFP064N , FDPF18N50 , FDPF18N50T , FDPF190N15A , FDPF20N50 , FDPF20N50FT , FDPF20N50T , FDPF2710T , FDPF320N06L .

History: JMSH0606PG

 

 
Back to Top

 


 
.