WMK20N70D1 Todos los transistores

 

WMK20N70D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMK20N70D1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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WMK20N70D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1344K  way-on
 wml20n70d1 wmk20n70d1.pdf pdf_icon

WMK20N70D1

WML20N70D1 WMK20N70D1 700V 20A 0.42 N-ch Power MOSFET Description TO-220 TO-220F WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications TAB requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G G D D S S Features Typ.R =0.42@V =10V

 8.1. Size:1271K  way-on
 wmj20n50d1 wmk20n50d1 wml20n50d1.pdf pdf_icon

WMK20N70D1

WMJ20N50D1 WMK20N50D1 WML20N50D1500V 20A 0.22 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-247 TO-220 TO-220FTABWMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOSTABfamily that is dramatic reduction inon-resistance and ultra-low gate charge forapplications requiring high power density andhigh efficiency. And it is very robust and RoHScompliant.G GGD DDS SSFeatures V =550V@

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History: TPB65R075DFD | SRT04N016LTC-GS | TPU65R1K5M | TPB80R750C | NCE65T2K4K | NTD3055L170T4G | TPD65R1K5M

 

 
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