WMK20N70D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMK20N70D1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 156 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 700 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 66 nC
Tiempo de subida (tr): 190 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 230 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.55 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMK20N70D1
WMK20N70D1 Datasheet (PDF)
wml20n70d1 wmk20n70d1.pdf
WML20N70D1 WMK20N70D1 700V 20A 0.42 N-ch Power MOSFET Description TO-220 TO-220F WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications TAB requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G G D D S S Features Typ.R =0.42@V =10V
wmj20n50d1 wmk20n50d1 wml20n50d1.pdf
WMJ20N50D1 WMK20N50D1 WML20N50D1500V 20A 0.22 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-247 TO-220 TO-220FTABWMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOSTABfamily that is dramatic reduction inon-resistance and ultra-low gate charge forapplications requiring high power density andhigh efficiency. And it is very robust and RoHScompliant.G GGD DDS SSFeatures V =550V@
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History: WMK25N65EM
