WMK20N70D1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMK20N70D1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 66 nC
Время нарастания (tr): 190 ns
Выходная емкость (Cd): 230 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.55 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для WMK20N70D1
WMK20N70D1 Datasheet (PDF)
wml20n70d1 wmk20n70d1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WML20N70D1 WMK20N70D1 700V 20A 0.42 N-ch Power MOSFET Description TO-220 TO-220F WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications TAB requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G G D D S S Features Typ.R =0.42@V =10V
wmj20n50d1 wmk20n50d1 wml20n50d1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WMJ20N50D1 WMK20N50D1 WML20N50D1500V 20A 0.22 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-247 TO-220 TO-220FTABWMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOSTABfamily that is dramatic reduction inon-resistance and ultra-low gate charge forapplications requiring high power density andhigh efficiency. And it is very robust and RoHScompliant.G GGD DDS SSFeatures V =550V@
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .