Справочник MOSFET. WMK20N70D1

 

WMK20N70D1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMK20N70D1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для WMK20N70D1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMK20N70D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1344K  way-on
 wml20n70d1 wmk20n70d1.pdf pdf_icon

WMK20N70D1

WML20N70D1 WMK20N70D1 700V 20A 0.42 N-ch Power MOSFET Description TO-220 TO-220F WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications TAB requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G G D D S S Features Typ.R =0.42@V =10V

 8.1. Size:1271K  way-on
 wmj20n50d1 wmk20n50d1 wml20n50d1.pdf pdf_icon

WMK20N70D1

WMJ20N50D1 WMK20N50D1 WML20N50D1500V 20A 0.22 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-247 TO-220 TO-220FTABWMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOSTABfamily that is dramatic reduction inon-resistance and ultra-low gate charge forapplications requiring high power density andhigh efficiency. And it is very robust and RoHScompliant.G GGD DDS SSFeatures V =550V@

Другие MOSFET... WMO18N65EM , WML18N70EM , WMK18N70EM , WMM18N70EM , WMN18N70EM , WMP18N70EM , WMO18N70EM , WML20N70D1 , 13N50 , WML25N50C4 , WMO25N50C4 , WMK25N50C4 , WMN25N50C4 , WMM25N50C4 , WMJ25N50C4 , WML25N65EM , WMK25N65EM .

History: IRF2907Z | APQ0DSN60AJ | SM8A04NSFP | MRF184

 

 
Back to Top

 


 
.