WML340N20HG2 Todos los transistores

 

WML340N20HG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WML340N20HG2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 141 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de WML340N20HG2 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WML340N20HG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:540K  way-on
 wml340n20hg2.pdf pdf_icon

WML340N20HG2

WML340N20HG2 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWML340N20HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. GDSFeatures TO-220F V = 200V, I = 28A

Otros transistores... WMN30N65EM , WMM30N65EM , WMJ30N65EM , WML30N80M3 , WMK30N80M3 , WMN30N80M3 , WMM30N80M3 , WMJ30N80M3 , SPP20N60C3 , WML36N60C4 , WMK36N60C4 , WMN36N60C4 , WMM36N60C4 , WMJ36N60C4 , WML36N60F2 , WMK36N60F2 , WMN36N60F2 .

History: SLP80R380SJ | JCS5AN50R

 

 
Back to Top

 


 
.