WML340N20HG2 Todos los transistores

 

WML340N20HG2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WML340N20HG2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 141 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm

Encapsulados: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de WML340N20HG2 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

WML340N20HG2 datasheet

 ..1. Size:540K  way-on
wml340n20hg2.pdf pdf_icon

WML340N20HG2

WML340N20HG2 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WML340N20HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. GDS Features TO-220F V = 200V, I = 28A

Otros transistores... WMN30N65EM , WMM30N65EM , WMJ30N65EM , WML30N80M3 , WMK30N80M3 , WMN30N80M3 , WMM30N80M3 , WMJ30N80M3 , K3569 , WML36N60C4 , WMK36N60C4 , WMN36N60C4 , WMM36N60C4 , WMJ36N60C4 , WML36N60F2 , WMK36N60F2 , WMN36N60F2 .

History: WMK25N65EM | SWT69N65K2

 

 

 


History: WMK25N65EM | SWT69N65K2

🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA

 

 

 

Popular searches

2n2924 | mpsa65 | 2sa794 | 2sa816 | 2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet

 

 

↑ Back to Top
.