WML340N20HG2 - описание и поиск аналогов

 

WML340N20HG2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WML340N20HG2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 141 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для WML340N20HG2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WML340N20HG2 даташит

 ..1. Size:540K  way-on
 wml340n20hg2.pdf pdf_icon

WML340N20HG2

WML340N20HG2 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WML340N20HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. GDS Features TO-220F V = 200V, I = 28A

Другие MOSFET... WMN30N65EM , WMM30N65EM , WMJ30N65EM , WML30N80M3 , WMK30N80M3 , WMN30N80M3 , WMM30N80M3 , WMJ30N80M3 , K3569 , WML36N60C4 , WMK36N60C4 , WMN36N60C4 , WMM36N60C4 , WMJ36N60C4 , WML36N60F2 , WMK36N60F2 , WMN36N60F2 .

History: SWU069R10VS | WMP15N60C4 | 2SK1315L | SFT1423 | APTC90DAM60CT1G | WMK16N70SR

 

 

 

 

↑ Back to Top
.