WML50P04TS Todos los transistores

 

WML50P04TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WML50P04TS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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WML50P04TS Datasheet (PDF)

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WML50P04TS

WML50P04TS 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWML50P04TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GDSFeatures TO-220F V = -40V, I = -42A DS DR

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History: AON7452 | 2SK1662M | AUIRF7640S2 | QM3001V | SSM6N29TU | STL70N10F3 | NTMFS4837NT1G

 

 
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