WML50P04TS Todos los transistores

 

WML50P04TS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WML50P04TS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm

Encapsulados: TO220F

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WML50P04TS datasheet

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WML50P04TS

WML50P04TS 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WML50P04TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GDS Features TO-220F V = -40V, I = -42A DS D R

Otros transistores... WMK36N65F2 , WMN36N65F2 , WMM36N65F2 , WMJ36N65F2 , WML4N100D1 , WML4N90D1 , WMK4N90D1 , WMM4N90D1 , 2SK3568 , WML53N60C4 , WMK53N60C4 , WMN53N60C4 , WMM53N60C4 , WMJ53N60C4 , WML53N60F2 , WMK53N60F2 , WMN53N60F2 .

History: PN4861 | WMM4N90D1 | PN4302 | PN4303 | WML4N90D1

 

 

 

 

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