WML50P04TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WML50P04TS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WML50P04TS

WML50P04TS Datasheet (PDF)

..1. Size:590K way-on
wml50p04ts.pdf

WML50P04TS 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWML50P04TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GDSFeatures TO-220F V = -40V, I = -42A DS DR

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Liste

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