WML50P04TS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WML50P04TS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для WML50P04TS
WML50P04TS Datasheet (PDF)
wml50p04ts.pdf

WML50P04TS 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWML50P04TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GDSFeatures TO-220F V = -40V, I = -42A DS DR
Другие MOSFET... WMK36N65F2 , WMN36N65F2 , WMM36N65F2 , WMJ36N65F2 , WML4N100D1 , WML4N90D1 , WMK4N90D1 , WMM4N90D1 , 5N65 , WML53N60C4 , WMK53N60C4 , WMN53N60C4 , WMM53N60C4 , WMJ53N60C4 , WML53N60F2 , WMK53N60F2 , WMN53N60F2 .
History: BSZ130N03LSG | 2SK3306
History: BSZ130N03LSG | 2SK3306



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet | sw50n06