Справочник MOSFET. WML50P04TS

 

WML50P04TS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WML50P04TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для WML50P04TS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WML50P04TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:590K  way-on
 wml50p04ts.pdf pdf_icon

WML50P04TS

WML50P04TS 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWML50P04TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GDSFeatures TO-220F V = -40V, I = -42A DS DR

Другие MOSFET... WMK36N65F2 , WMN36N65F2 , WMM36N65F2 , WMJ36N65F2 , WML4N100D1 , WML4N90D1 , WMK4N90D1 , WMM4N90D1 , 5N65 , WML53N60C4 , WMK53N60C4 , WMN53N60C4 , WMM53N60C4 , WMJ53N60C4 , WML53N60F2 , WMK53N60F2 , WMN53N60F2 .

History: 2SK1074 | STF13N60M2 | SI7491DP | SIHFD014 | SP8M70 | PSMN5R6-100PS

 

 
Back to Top

 


 
.