WML50P04TS - описание и поиск аналогов

 

WML50P04TS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WML50P04TS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для WML50P04TS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WML50P04TS даташит

 ..1. Size:590K  way-on
 wml50p04ts.pdf pdf_icon

WML50P04TS

WML50P04TS 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WML50P04TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GDS Features TO-220F V = -40V, I = -42A DS D R

Другие MOSFET... WMK36N65F2 , WMN36N65F2 , WMM36N65F2 , WMJ36N65F2 , WML4N100D1 , WML4N90D1 , WMK4N90D1 , WMM4N90D1 , 2SK3568 , WML53N60C4 , WMK53N60C4 , WMN53N60C4 , WMM53N60C4 , WMJ53N60C4 , WML53N60F2 , WMK53N60F2 , WMN53N60F2 .

History: IXFT20N60Q | WMJ53N65C4 | WMM36N65F2 | WMM4N90D1 | WMM80R260S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.