WMM015N08HGS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMM015N08HGS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 347.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 310 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 243.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 86.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2535 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMM015N08HGS

WMM015N08HGS Datasheet (PDF)

..1. Size:694K way-on
wmm015n08hgs.pdf

WMM015N08HGS 80V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMM015N08HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET Dtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state Gresistance and yet maintain superior switching performance. This Sdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-263Features V = 80V, I = 310A D

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Liste

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