WMM015N08HGS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMM015N08HGS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 347.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 310 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 86.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2535 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
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WMM015N08HGS Datasheet (PDF)
wmm015n08hgs.pdf
WMM015N08HGS 80V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMM015N08HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET Dtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state Gresistance and yet maintain superior switching performance. This Sdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-263Features V = 80V, I = 310A D
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