WMM015N08HGS Todos los transistores

 

WMM015N08HGS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMM015N08HGS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 347.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 310 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 86.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2535 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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WMM015N08HGS Datasheet (PDF)

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WMM015N08HGS

WMM015N08HGS 80V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMM015N08HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET Dtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state Gresistance and yet maintain superior switching performance. This Sdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-263Features V = 80V, I = 310A D

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History: OSG65R650FZF | FDMA8884 | SRC11N65TF

 

 
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