WMM015N08HGS Todos los transistores

 

WMM015N08HGS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMM015N08HGS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 347.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 310 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 86.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2535 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm

Encapsulados: TO263

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WMM015N08HGS datasheet

 ..1. Size:694K  way-on
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WMM015N08HGS

WMM015N08HGS 80V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM015N08HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET D technology that has been especially tailored to minimize the on-state G resistance and yet maintain superior switching performance. This S device is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-263 Features V = 80V, I = 310A D

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History: WMM020N06HG4 | 2SK1254S | WSF50N10G

 

 

 

 

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