WMM015N08HGS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMM015N08HGS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 347.2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 310 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 243.6 nC
Tiempo de subida (tr): 86.8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2535 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0019 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
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WMM015N08HGS Datasheet (PDF)
..1. Size:694K way-on
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WMM015N08HGS 80V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMM015N08HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET Dtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state Gresistance and yet maintain superior switching performance. This Sdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-263Features V = 80V, I = 310A D
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