WMM015N08HGS - описание и поиск аналогов

 

WMM015N08HGS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMM015N08HGS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 310 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 86.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2535 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для WMM015N08HGS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMM015N08HGS даташит

 ..1. Size:694K  way-on
 wmm015n08hgs.pdf pdf_icon

WMM015N08HGS

WMM015N08HGS 80V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM015N08HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET D technology that has been especially tailored to minimize the on-state G resistance and yet maintain superior switching performance. This S device is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-263 Features V = 80V, I = 310A D

Другие MOSFET... WMLL020N10HG4 , WMLL020N10HGS , WMLL020NV8HGS , WMLL025N10HGS , WMLL030N12HGS , WMLL040N15HG2 , WMLL065N15HG2 , WMLL099N20HG2 , IRLB4132 , WMM020N06HG4 , WMM020N10HGS , WMM023N08HGS , WMM028N10HG2 , WMM028N10HGS , WMM030N06HG4 , WMM036N12HGS , WMM037N10HGS .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.