Справочник MOSFET. WMM015N08HGS

 

WMM015N08HGS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMM015N08HGS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 310 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 86.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2535 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для WMM015N08HGS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMM015N08HGS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:694K  way-on
 wmm015n08hgs.pdf pdf_icon

WMM015N08HGS

WMM015N08HGS 80V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMM015N08HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET Dtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state Gresistance and yet maintain superior switching performance. This Sdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-263Features V = 80V, I = 310A D

Другие MOSFET... WMLL020N10HG4 , WMLL020N10HGS , WMLL020NV8HGS , WMLL025N10HGS , WMLL030N12HGS , WMLL040N15HG2 , WMLL065N15HG2 , WMLL099N20HG2 , 5N60 , WMM020N06HG4 , WMM020N10HGS , WMM023N08HGS , WMM028N10HG2 , WMM028N10HGS , WMM030N06HG4 , WMM036N12HGS , WMM037N10HGS .

History: 2N4393C1B | R6511ENJ | 4N90L-TA3-T | FDD2612 | 4N90L-TF1-T | NCEP3065QU | STP190NF04

 

 
Back to Top

 


 
.