FDPF680N10T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDPF680N10T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de FDPF680N10T MOSFET
FDPF680N10T Datasheet (PDF)
fdpf680n10t.pdf

November 2008FDPF680N10TN-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 12A, 68mFeatures Description RDS(on) = 54m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 6A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon-ductors advanced PowerTrench process that has been espe- Fast Switching Speed cially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performanc
fdpf680n10t.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor FDPF680N10TFEATURESWith TO-220F packagingDrain Source Voltage-: V 100VDSSStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 68m@V =10VGS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2
fdp6n60zu fdpf6n60zut.pdf

April 2009UniFETTMFDP6N60ZU / FDPF6N60ZUTN-Channel MOSFET, FRFET 600V, 4.5A, 2Features Description RDS(on) = 1.7 ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 2.25A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 14.5nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 5pF)This advanced technology
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