WMM190N03TS Todos los transistores

 

WMM190N03TS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMM190N03TS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 672 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm

Encapsulados: TO263

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WMM190N03TS datasheet

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WMM190N03TS

WMM190N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM190N03TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain D superior switching performance. G S Features TO-263 V = 30V, I = 190A DS D R

Otros transistores... WMM13N50C4 , WML13N50C4 , WMO13N50C4 , WMN13N50C4 , WMP13N50C4 , WMK13N50C4 , WMM161N15T2 , WMM180N03TS , AO3400 , WMM220N20HG3 , WMM240P10HG4 , WMM340N20HG2 , WMM50P04T1 , WMM80N08TS , WMM80P04TS , WMM80R1K0S , WMN80R1K0S .

History: WML9N90D1B | CS55N25AKR

 

 

 

 

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