Справочник MOSFET. WMM190N03TS

 

WMM190N03TS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMM190N03TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 672 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для WMM190N03TS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMM190N03TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:694K  way-on
 wmm190n03ts.pdf pdf_icon

WMM190N03TS

WMM190N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMM190N03TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain Dsuperior switching performance.GSFeatures TO-263 V = 30V, I = 190A DS DR

Другие MOSFET... WMM13N50C4 , WML13N50C4 , WMO13N50C4 , WMN13N50C4 , WMP13N50C4 , WMK13N50C4 , WMM161N15T2 , WMM180N03TS , IRF3710 , WMM220N20HG3 , WMM240P10HG4 , WMM340N20HG2 , WMM50P04T1 , WMM80N08TS , WMM80P04TS , WMM80R1K0S , WMN80R1K0S .

History: IRC830PBF | UT3N06G-AE3 | 2SK430S | ME04N25-G | SI3403 | WMK26N60F2

 

 
Back to Top

 


 
.