WMM190N03TS - описание и поиск аналогов

 

WMM190N03TS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMM190N03TS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 672 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для WMM190N03TS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMM190N03TS даташит

 ..1. Size:694K  way-on
 wmm190n03ts.pdf pdf_icon

WMM190N03TS

WMM190N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM190N03TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain D superior switching performance. G S Features TO-263 V = 30V, I = 190A DS D R

Другие MOSFET... WMM13N50C4 , WML13N50C4 , WMO13N50C4 , WMN13N50C4 , WMP13N50C4 , WMK13N50C4 , WMM161N15T2 , WMM180N03TS , AO3400 , WMM220N20HG3 , WMM240P10HG4 , WMM340N20HG2 , WMM50P04T1 , WMM80N08TS , WMM80P04TS , WMM80R1K0S , WMN80R1K0S .

History: BFC60 | WSE3088 | WMM07N100C2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.