Справочник MOSFET. WMM190N03TS

 

WMM190N03TS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMM190N03TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 190 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 100 nC
   Время нарастания (tr): 27 ns
   Выходная емкость (Cd): 672 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0026 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для WMM190N03TS

 

 

WMM190N03TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:694K  way-on
 wmm190n03ts.pdf

WMM190N03TS WMM190N03TS

WMM190N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMM190N03TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain Dsuperior switching performance.GSFeatures TO-263 V = 30V, I = 190A DS DR

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top