WMM220N20HG3 Todos los transistores

 

WMM220N20HG3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMM220N20HG3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 78 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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WMM220N20HG3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:499K  way-on
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WMM220N20HG3

WMM220N20HG3 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMM220N20HG3 uses Wayon's 3nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Dresistance and yet maintain superior switching performance. This device Gis well suited for high efficiency fast s witching applications. S.TO-263Features V = 200V,

 9.1. Size:671K  way-on
 wmn22n50c4 wmm22n50c4 wmj22n50c4 wmo22n50c4 wmk22n50c4 wml22n50c4.pdf pdf_icon

WMM220N20HG3

WMN22N50C4, WMM22N MJ22N50CN50C4, WM C4 WMO22N50C4, WMK22N ML22N50CN50C4, WM C4 500V n Power MOSFETV 0.22 Super JunctionDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G and low ga charge performanc WMOSTM C4

Otros transistores... WML13N50C4 , WMO13N50C4 , WMN13N50C4 , WMP13N50C4 , WMK13N50C4 , WMM161N15T2 , WMM180N03TS , WMM190N03TS , AON6414A , WMM240P10HG4 , WMM340N20HG2 , WMM50P04T1 , WMM80N08TS , WMM80P04TS , WMM80R1K0S , WMN80R1K0S , WMK80R1K0S .

History: IPI024N06N3G | CS6N60A3HDY | WMJ4N150D1 | SVS5N70MN | NCEP030N12 | 2SK1570 | 1N80

 

 
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