WMM220N20HG3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMM220N20HG3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для WMM220N20HG3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMM220N20HG3 даташит

 ..1. Size:499K  way-on
 wmm220n20hg3.pdf pdf_icon

WMM220N20HG3

WMM220N20HG3 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM220N20HG3 uses Wayon's 3nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state D resistance and yet maintain superior switching performance. This device G is well suited for high efficiency fast s witching applications. S . TO-263 Features V = 200V,

 9.1. Size:671K  way-on
 wmn22n50c4 wmm22n50c4 wmj22n50c4 wmo22n50c4 wmk22n50c4 wml22n50c4.pdf pdf_icon

WMM220N20HG3

WMN22N50C4, WMM22N MJ22N50C N50C4, WM C4 WMO22N50C4, WMK22N ML22N50C N50C4, WM C4 500V n Power MOSFET V 0.22 Super Junction Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G and low ga charge performanc WMOSTM C4

Другие IGBT... WML13N50C4, WMO13N50C4, WMN13N50C4, WMP13N50C4, WMK13N50C4, WMM161N15T2, WMM180N03TS, WMM190N03TS, IRFB4227, WMM240P10HG4, WMM340N20HG2, WMM50P04T1, WMM80N08TS, WMM80P04TS, WMM80R1K0S, WMN80R1K0S, WMK80R1K0S