WMM240P10HG4 Todos los transistores

 

WMM240P10HG4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMM240P10HG4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 64.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

WMM240P10HG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:681K  way-on
 wmm240p10hg4.pdf pdf_icon

WMM240P10HG4

WMM240P10HG4 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMM240P10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Dresistance and yet maintain superior switching performance. This GSdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-263Features V = -100V, I =

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History: IMW65R027M1H

 

 
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