WMM240P10HG4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMM240P10HG4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 192.3 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.4 V
Carga de la puerta (Qg): 64.6 nC
Tiempo de subida (tr): 22 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 320 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.026 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMM240P10HG4
WMM240P10HG4 Datasheet (PDF)
wmm240p10hg4.pdf
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WMM240P10HG4 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMM240P10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Dresistance and yet maintain superior switching performance. This GSdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-263Features V = -100V, I =
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