WMM240P10HG4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WMM240P10HG4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для WMM240P10HG4
WMM240P10HG4 Datasheet (PDF)
wmm240p10hg4.pdf

WMM240P10HG4 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMM240P10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Dresistance and yet maintain superior switching performance. This GSdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-263Features V = -100V, I =
Другие MOSFET... WMO13N50C4 , WMN13N50C4 , WMP13N50C4 , WMK13N50C4 , WMM161N15T2 , WMM180N03TS , WMM190N03TS , WMM220N20HG3 , P55NF06 , WMM340N20HG2 , WMM50P04T1 , WMM80N08TS , WMM80P04TS , WMM80R1K0S , WMN80R1K0S , WMK80R1K0S , WML80R1K0S .
History: IPAN60R125PFD7S | AM1331P | WMO080N10HG2 | R6020ENJ | B630 | ME50N06A | IRFIZ34G
History: IPAN60R125PFD7S | AM1331P | WMO080N10HG2 | R6020ENJ | B630 | ME50N06A | IRFIZ34G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801 | c8550 transistor datasheet | mj21194 transistor datasheet | kep40n26 | nte103a