Справочник MOSFET. WMM240P10HG4

 

WMM240P10HG4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMM240P10HG4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 64.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для WMM240P10HG4

 

 

WMM240P10HG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:681K  way-on
 wmm240p10hg4.pdf

WMM240P10HG4 WMM240P10HG4

WMM240P10HG4 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMM240P10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Dresistance and yet maintain superior switching performance. This GSdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-263Features V = -100V, I =

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top