WMM240P10HG4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMM240P10HG4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для WMM240P10HG4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMM240P10HG4 даташит

 ..1. Size:681K  way-on
 wmm240p10hg4.pdf pdf_icon

WMM240P10HG4

WMM240P10HG4 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM240P10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state D resistance and yet maintain superior switching performance. This G S device is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-263 Features V = -100V, I =

Другие IGBT... WMO13N50C4, WMN13N50C4, WMP13N50C4, WMK13N50C4, WMM161N15T2, WMM180N03TS, WMM190N03TS, WMM220N20HG3, IRF3710, WMM340N20HG2, WMM50P04T1, WMM80N08TS, WMM80P04TS, WMM80R1K0S, WMN80R1K0S, WMK80R1K0S, WML80R1K0S