WMM240P10HG4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMM240P10HG4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 64.6 nC
Время нарастания (tr): 22 ns
Выходная емкость (Cd): 320 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.026 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для WMM240P10HG4
WMM240P10HG4 Datasheet (PDF)
wmm240p10hg4.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WMM240P10HG4 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMM240P10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Dresistance and yet maintain superior switching performance. This GSdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-263Features V = -100V, I =
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .