Справочник MOSFET. WMM240P10HG4

 

WMM240P10HG4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMM240P10HG4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для WMM240P10HG4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMM240P10HG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:681K  way-on
 wmm240p10hg4.pdf pdf_icon

WMM240P10HG4

WMM240P10HG4 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMM240P10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Dresistance and yet maintain superior switching performance. This GSdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-263Features V = -100V, I =

Другие MOSFET... WMO13N50C4 , WMN13N50C4 , WMP13N50C4 , WMK13N50C4 , WMM161N15T2 , WMM180N03TS , WMM190N03TS , WMM220N20HG3 , P55NF06 , WMM340N20HG2 , WMM50P04T1 , WMM80N08TS , WMM80P04TS , WMM80R1K0S , WMN80R1K0S , WMK80R1K0S , WML80R1K0S .

History: IPAN60R125PFD7S | AM1331P | WMO080N10HG2 | R6020ENJ | B630 | ME50N06A | IRFIZ34G

 

 
Back to Top

 


 
.