WMM340N20HG2 Todos los transistores

 

WMM340N20HG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMM340N20HG2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 173.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 141 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de WMM340N20HG2 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WMM340N20HG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:521K  way-on
 wmm340n20hg2.pdf pdf_icon

WMM340N20HG2

WMM340N20HG2 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMM340N20HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Dresistance and yet maintain superior switching performance. This device Gis well suited for high efficiency fast switching applications. STO-263Features V = 200V, I = 50

Otros transistores... WMN13N50C4 , WMP13N50C4 , WMK13N50C4 , WMM161N15T2 , WMM180N03TS , WMM190N03TS , WMM220N20HG3 , WMM240P10HG4 , IRFB4227 , WMM50P04T1 , WMM80N08TS , WMM80P04TS , WMM80R1K0S , WMN80R1K0S , WMK80R1K0S , WML80R1K0S , WMP80R1K0S .

History: WMN26N65SR

 

 
Back to Top

 


 
.