WMM340N20HG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMM340N20HG2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 173.6 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 23 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 141 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.034 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMM340N20HG2
WMM340N20HG2 Datasheet (PDF)
wmm340n20hg2.pdf
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WMM340N20HG2 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMM340N20HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Dresistance and yet maintain superior switching performance. This device Gis well suited for high efficiency fast switching applications. STO-263Features V = 200V, I = 50
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