Справочник MOSFET. WMM340N20HG2

 

WMM340N20HG2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMM340N20HG2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 173.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 141 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMM340N20HG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:521K  way-on
 wmm340n20hg2.pdf pdf_icon

WMM340N20HG2

WMM340N20HG2 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMM340N20HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Dresistance and yet maintain superior switching performance. This device Gis well suited for high efficiency fast switching applications. STO-263Features V = 200V, I = 50

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 2SK2939 | UPA1901 | UPA2780GR | SI8902AEDB | IRF3707SPBF | IPD200N15N3 | STB60NF10

 

 
Back to Top

 


 
.