Справочник MOSFET. WMM340N20HG2

 

WMM340N20HG2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMM340N20HG2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 173.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 141 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для WMM340N20HG2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMM340N20HG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:521K  way-on
 wmm340n20hg2.pdf pdf_icon

WMM340N20HG2

WMM340N20HG2 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMM340N20HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Dresistance and yet maintain superior switching performance. This device Gis well suited for high efficiency fast switching applications. STO-263Features V = 200V, I = 50

Другие MOSFET... WMN13N50C4 , WMP13N50C4 , WMK13N50C4 , WMM161N15T2 , WMM180N03TS , WMM190N03TS , WMM220N20HG3 , WMM240P10HG4 , IRFB4227 , WMM50P04T1 , WMM80N08TS , WMM80P04TS , WMM80R1K0S , WMN80R1K0S , WMK80R1K0S , WML80R1K0S , WMP80R1K0S .

History: IPP600N25N3 | SVT077R5NS | SDM9926 | WMO11N80M3 | FTD02N70 | SI8902AEDB | SMK830D

 

 
Back to Top

 


 
.