Справочник MOSFET. WMM340N20HG2

 

WMM340N20HG2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMM340N20HG2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 173.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 141 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для WMM340N20HG2

 

 

WMM340N20HG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:521K  way-on
 wmm340n20hg2.pdf

WMM340N20HG2 WMM340N20HG2

WMM340N20HG2 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMM340N20HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Dresistance and yet maintain superior switching performance. This device Gis well suited for high efficiency fast switching applications. STO-263Features V = 200V, I = 50

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQPF3N80C

 

 
Back to Top