WMM50P04T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMM50P04T1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 28 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMM50P04T1
WMM50P04T1 Datasheet (PDF)
wmm50p04t1.pdf
WMM50P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMM50P04T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain Dsuperior switching performance. GSFeatures TO-263 V = -40V, I = -55A DS DR
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Liste
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