WMM50P04T1 Todos los transistores

 

WMM50P04T1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMM50P04T1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: TO263

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WMM50P04T1 datasheet

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WMM50P04T1

WMM50P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM50P04T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain D superior switching performance. G S Features TO-263 V = -40V, I = -55A DS D R

Otros transistores... WMP13N50C4 , WMK13N50C4 , WMM161N15T2 , WMM180N03TS , WMM190N03TS , WMM220N20HG3 , WMM240P10HG4 , WMM340N20HG2 , AON6414A , WMM80N08TS , WMM80P04TS , WMM80R1K0S , WMN80R1K0S , WMK80R1K0S , WML80R1K0S , WMP80R1K0S , WMO80R1K0S .

History: WML90R360S | IPW60R060P7

 

 

 

 

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