WMM50P04T1 - описание и поиск аналогов

 

WMM50P04T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMM50P04T1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для WMM50P04T1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMM50P04T1 даташит

 ..1. Size:1124K  way-on
 wmm50p04t1.pdf pdf_icon

WMM50P04T1

WMM50P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM50P04T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain D superior switching performance. G S Features TO-263 V = -40V, I = -55A DS D R

Другие MOSFET... WMP13N50C4 , WMK13N50C4 , WMM161N15T2 , WMM180N03TS , WMM190N03TS , WMM220N20HG3 , WMM240P10HG4 , WMM340N20HG2 , AON6414A , WMM80N08TS , WMM80P04TS , WMM80R1K0S , WMN80R1K0S , WMK80R1K0S , WML80R1K0S , WMP80R1K0S , WMO80R1K0S .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.