Справочник MOSFET. WMM50P04T1

 

WMM50P04T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMM50P04T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMM50P04T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1124K  way-on
 wmm50p04t1.pdf pdf_icon

WMM50P04T1

WMM50P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMM50P04T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain Dsuperior switching performance. GSFeatures TO-263 V = -40V, I = -55A DS DR

Другие MOSFET... WMP13N50C4 , WMK13N50C4 , WMM161N15T2 , WMM180N03TS , WMM190N03TS , WMM220N20HG3 , WMM240P10HG4 , WMM340N20HG2 , IRFB4110 , WMM80N08TS , WMM80P04TS , WMM80R1K0S , WMN80R1K0S , WMK80R1K0S , WML80R1K0S , WMP80R1K0S , WMO80R1K0S .

History: CHM4204PAGP | NDB710AE | RU12N65P | BL5N50-A

 

 
Back to Top

 


 
.