WMJ22N50C4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMJ22N50C4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 86 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm

Encapsulados: TO247

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WMJ22N50C4 datasheet

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WMJ22N50C4

WMN22N50C4, WMM22N MJ22N50C N50C4, WM C4 WMO22N50C4, WMK22N ML22N50C N50C4, WM C4 500V n Power MOSFET V 0.22 Super Junction Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G and low ga charge performanc WMOSTM C4

 9.1. Size:601K  way-on
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WMJ22N50C4

WMJ220N20HG3 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMJ220N20HG3 uses Wayon's 3rd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This S device is well suited for high efficiency fast switching applications. D G . TO-247 Features V = 200V, I

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