Справочник MOSFET. WMJ22N50C4

 

WMJ22N50C4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMJ22N50C4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMJ22N50C4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:671K  way-on
wmn22n50c4 wmm22n50c4 wmj22n50c4 wmo22n50c4 wmk22n50c4 wml22n50c4.pdfpdf_icon

WMJ22N50C4

WMN22N50C4, WMM22N MJ22N50CN50C4, WM C4 WMO22N50C4, WMK22N ML22N50CN50C4, WM C4 500V n Power MOSFETV 0.22 Super JunctionDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G and low ga charge performanc WMOSTM C4

 9.1. Size:601K  way-on
wmj220n20hg3.pdfpdf_icon

WMJ22N50C4

WMJ220N20HG3 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMJ220N20HG3 uses Wayon's 3rd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This Sdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. DG.TO-247Features V = 200V, I

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: CS6N100P | WML90R1K5S | IAUC100N10S5N040 | STU601S | IPB60R099CPA | AP09T10GK | WMQ26P02TS

 

 
Back to Top

 


 
.