WMO048NV6HG4 Todos los transistores

 

WMO048NV6HG4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMO048NV6HG4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 71.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 28.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 773 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

WMO048NV6HG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:659K  way-on
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WMO048NV6HG4

WMO048NV6HG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO048NV6HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the Don-state resistance and yet maintain superior switching performance. SThis device is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 65V, I = 90

 5.1. Size:658K  way-on
 wmo048nv6lg4.pdf pdf_icon

WMO048NV6HG4

WMO048NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO048NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the Don-state resistance and yet maintain superior switching performance. SThis device is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 65V, I = 90

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History: SWF10N50K | CHM41A2PAGP | IRF7910PBF-1 | PMT760EN | VN2110 | 50N06G-TA3-T | IMW120R140M1H

 

 
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