WMO048NV6HG4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMO048NV6HG4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 71.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 773 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm

Encapsulados: TO252

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WMO048NV6HG4 datasheet

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WMO048NV6HG4

WMO048NV6HG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO048NV6HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the D on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S This device is well suited for high efficiency fast switching applications. G TO-252 Features V = 65V, I = 90

 5.1. Size:658K  way-on
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WMO048NV6HG4

WMO048NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO048NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the D on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S This device is well suited for high efficiency fast switching applications. G TO-252 Features V = 65V, I = 90

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