WMO048NV6HG4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMO048NV6HG4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 71.4 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 65 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 90 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
Carga de la puerta (Qg): 28.5 nC
Tiempo de subida (tr): 8.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 773 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0052 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMO048NV6HG4
WMO048NV6HG4 Datasheet (PDF)
wmo048nv6hg4.pdf
WMO048NV6HG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO048NV6HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the Don-state resistance and yet maintain superior switching performance. SThis device is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 65V, I = 90
wmo048nv6lg4.pdf
WMO048NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO048NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the Don-state resistance and yet maintain superior switching performance. SThis device is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 65V, I = 90
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