Справочник MOSFET. WMO048NV6HG4

 

WMO048NV6HG4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMO048NV6HG4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 773 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для WMO048NV6HG4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO048NV6HG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:659K  way-on
 wmo048nv6hg4.pdf pdf_icon

WMO048NV6HG4

WMO048NV6HG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO048NV6HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the Don-state resistance and yet maintain superior switching performance. SThis device is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 65V, I = 90

 5.1. Size:658K  way-on
 wmo048nv6lg4.pdf pdf_icon

WMO048NV6HG4

WMO048NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO048NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the Don-state resistance and yet maintain superior switching performance. SThis device is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 65V, I = 90

Другие MOSFET... WMN22N50C4 , WMM22N50C4 , WMJ22N50C4 , WMO22N50C4 , WMK22N50C4 , WML22N50C4 , WMO030N06HG4 , WMO030N06LG4 , 18N50 , WMO048NV6LG4 , WMO053NV8HGS , WMO060N10HGS , WMO080N10HG2 , WMO090NV6HG4 , WMO099N10HGS , WMO099N10LGS , WMO09N15TS .

History: IRF7811WTR | IRF610P | SST308 | WMO18N20T2 | MMBFJ177 | WML80R480S | SST176

 

 
Back to Top

 


 
.