Справочник MOSFET. WMO048NV6HG4

 

WMO048NV6HG4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMO048NV6HG4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 71.4 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 65 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 90 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 28.5 nC
   Время нарастания (tr): 8.2 ns
   Выходная емкость (Cd): 773 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для WMO048NV6HG4

 

 

WMO048NV6HG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:659K  way-on
wmo048nv6hg4.pdf

WMO048NV6HG4
WMO048NV6HG4

WMO048NV6HG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO048NV6HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the Don-state resistance and yet maintain superior switching performance. SThis device is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 65V, I = 90

 5.1. Size:658K  way-on
wmo048nv6lg4.pdf

WMO048NV6HG4
WMO048NV6HG4

WMO048NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO048NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the Don-state resistance and yet maintain superior switching performance. SThis device is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 65V, I = 90

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top