WMO060N10HGS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMO060N10HGS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 138.9 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 105 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 81.8 nC
Tiempo de subida (tr): 13 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 655 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMO060N10HGS
WMO060N10HGS Datasheet (PDF)
wmo060n10hgs.pdf
WMO060N10HGS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO060N10HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Dresistance and yet maintain superior switching performance. This Sdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 100V, I = 105A
wml06n80m3 wmn06n80m3 wmm06n80m3 wmo06n80m3 wmp06n80m3 wmk06n80m3.pdf
WML06N80M3, W 80M3, WM M3 WMN06N8 MM06N80MWMO0 80M3, WM M3 06N80M3, WMP06N8 MK06N80M 800 Junction ET0V 1.8 Super J n Power MOSFEDescripptionWMOSTM M3 is Wayo neration 800M ons 3rd gen 0V super junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance D echnology fo y low on-re S S G D D GG G Tand low ga charge perf
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