WMO060N10HGS - аналоги и даташиты транзистора

 

WMO060N10HGS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WMO060N10HGS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 105 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 655 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для WMO060N10HGS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO060N10HGS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:630K  way-on
 wmo060n10hgs.pdf pdf_icon

WMO060N10HGS

WMO060N10HGS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO060N10HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Dresistance and yet maintain superior switching performance. This Sdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 100V, I = 105A

 9.1. Size:673K  way-on
 wml06n80m3 wmn06n80m3 wmm06n80m3 wmo06n80m3 wmp06n80m3 wmk06n80m3.pdf pdf_icon

WMO060N10HGS

WML06N80M3, W 80M3, WM M3 WMN06N8 MM06N80MWMO0 80M3, WM M3 06N80M3, WMP06N8 MK06N80M 800 Junction ET0V 1.8 Super J n Power MOSFEDescripptionWMOSTM M3 is Wayo neration 800M ons 3rd gen 0V super junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance D echnology fo y low on-re S S G D D GG G Tand low ga charge perf

Другие MOSFET... WMO22N50C4 , WMK22N50C4 , WML22N50C4 , WMO030N06HG4 , WMO030N06LG4 , WMO048NV6HG4 , WMO048NV6LG4 , WMO053NV8HGS , RFP50N06 , WMO080N10HG2 , WMO090NV6HG4 , WMO099N10HGS , WMO099N10LGS , WMO09N15TS , WMO09N20DM , WMO09N20DMH , WMO09P10TS .

History: FKV660S | 2SK2025 | 2SK3705

 

 
Back to Top

 


 
.