WMO175N10HG4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMO175N10HG4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 67.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 144 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0175 Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de WMO175N10HG4 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

WMO175N10HG4 datasheet

 ..1. Size:609K  way-on
 wmo175n10hg4.pdf pdf_icon

WMO175N10HG4

WMO175N10HG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO175N10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state D resistance and yet maintain superior switching performance. This S device is well suited for high efficiency fast switching applications. G TO-252 Features V = 100V, I =

 5.1. Size:614K  way-on
 wmo175n10lg4.pdf pdf_icon

WMO175N10HG4

WMO175N10LG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO175N10LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This D S device is well suited for high efficiency fast switching applications. G TO-252 Features V = 100V, I =

Otros transistores... WMO13N10TS, WMO13P06T1, WMO13P10TS, WMO140NV6LG4, WMO15N10T1, WMO15N12TS, WMO15N15T1, WMO15N25T2, IRFZ46N, WMO175N10LG4, WMO18N20T2, WMO18P10TS, WMO190N03TS, WMO190N15HG4, WMO20N15T2, WMO20P04T1, WMO20P15TS