WMO175N10HG4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMO175N10HG4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 67.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0175 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WMO175N10HG4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO175N10HG4 даташит

 ..1. Size:609K  way-on
 wmo175n10hg4.pdf pdf_icon

WMO175N10HG4

WMO175N10HG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO175N10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state D resistance and yet maintain superior switching performance. This S device is well suited for high efficiency fast switching applications. G TO-252 Features V = 100V, I =

 5.1. Size:614K  way-on
 wmo175n10lg4.pdf pdf_icon

WMO175N10HG4

WMO175N10LG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO175N10LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This D S device is well suited for high efficiency fast switching applications. G TO-252 Features V = 100V, I =

Другие IGBT... WMO13N10TS, WMO13P06T1, WMO13P10TS, WMO140NV6LG4, WMO15N10T1, WMO15N12TS, WMO15N15T1, WMO15N25T2, IRFZ46N, WMO175N10LG4, WMO18N20T2, WMO18P10TS, WMO190N03TS, WMO190N15HG4, WMO20N15T2, WMO20P04T1, WMO20P15TS