WMO175N10LG4 Todos los transistores

 

WMO175N10LG4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMO175N10LG4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 67.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 154 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de WMO175N10LG4 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WMO175N10LG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:614K  way-on
 wmo175n10lg4.pdf pdf_icon

WMO175N10LG4

WMO175N10LG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO175N10LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This DSdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 100V, I =

 5.1. Size:609K  way-on
 wmo175n10hg4.pdf pdf_icon

WMO175N10LG4

WMO175N10HG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO175N10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Dresistance and yet maintain superior switching performance. This Sdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 100V, I =

Otros transistores... WMO13P06T1 , WMO13P10TS , WMO140NV6LG4 , WMO15N10T1 , WMO15N12TS , WMO15N15T1 , WMO15N25T2 , WMO175N10HG4 , IRF1405 , WMO18N20T2 , WMO18P10TS , WMO190N03TS , WMO190N15HG4 , WMO20N15T2 , WMO20P04T1 , WMO20P15TS , WMO240N10LG2 .

History: STW16NM50N | IRF3710PBF

 

 
Back to Top

 


 
.