WMO175N10LG4 Todos los transistores

 

WMO175N10LG4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMO175N10LG4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 67.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 154 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

WMO175N10LG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:614K  way-on
 wmo175n10lg4.pdf pdf_icon

WMO175N10LG4

WMO175N10LG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO175N10LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This DSdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 100V, I =

 5.1. Size:609K  way-on
 wmo175n10hg4.pdf pdf_icon

WMO175N10LG4

WMO175N10HG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO175N10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Dresistance and yet maintain superior switching performance. This Sdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 100V, I =

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SGP100N025 | BSR202N | FHU50N06D

 

 
Back to Top

 


 
.